Carbur de silici

Carbur de silici

Substància química	tipus d'entitat química
Massa molecular	39,977 Da
Descobridor o inventor	Edward Goodrich Acheson
Rol	material biocompatible
Estructura química
Fórmula química	SiC
SMILES canònic	Model 2D [C-]#[Si+]
Identificador InChI	Model 3D
Propietat
Densitat	3,23 g/L (a 20 °C)
Índex de refracció	2,55
Temperatura de sublimació	2.700 °C
Pressió de vapor	0 mmHg (a 20 °C)
Perill
Límit d'exposició mitjana ponderada en el temps	5 mg/m³ (10 h, Estats Units d'Amèrica) 10 mg/m³ (10 h, cap valor) 15 mg/m³ (8 h, Estats Units d'Amèrica)
NFPA 704: Standard System for the Identification of the Hazards of Materials for Emergency Response ()
Altres
sòlid de xarxa covalent

El carbur de silici (SiC) és un material ceràmic de carbur covalent d'estequiometria 1:1 i que té una estructura semblant a la diamant. És gairebé tan dur com el diamant.^[1] Per la seva duresa, es fa servir com a abrasiu artificial, conegut amb per la marca comercial de carborúndum,^[2] així com a element calefactor en resistències, en reactors, i, com a reforç, en materials compostos.^[3] És relativament inert a l'oxidació, ja que en presència d'oxigen forma una capa protectora de SiO_2.^[3]

El carbur de silici és un material semiconductor (amb una banda prohibida de 2,4 V)^{[cal citació]} i refractari que presenta molts avantatges en dispositius que impliquin treballar en condicions extremes de temperatura, voltatge i freqüència.^[2] El carbur de silici pot suportar un gradient de voltatge o de camp elèctric fins a vuit vegades superior al silici o l'arsenur de gal·li sense que rompre's. Aquest elevat valor de camp elèctric de ruptura el fa útil en la fabricació de components que operen a voltatges elevats i a altes energies com per exemple: díodes, transistors, supressors…, i fins i tot dispositius per microones d'alta energia. S'hi suma l'avantatge de poder col·locar una elevada densitat d'empaquetament en els circuits integrats.

Finalment, la duresa de 9 a l'escala de Mohs li proporciona una resistència mecànica que, junt amb les propietats elèctriques, li donen molts beneficis enfront d'altres semiconductors.